Görsel mevcut değil
BC637RL1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637RL1G Hakkında
BC637RL1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 60V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç kapasitesi, 200MHz transition frekansı ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. Düşük ICBO (100nA) cutoff akımı ve 40 (minimum) DC current gain özellikleri ile istikrarlı performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V