Görsel mevcut değil
BC637_L34Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637_L34Z Hakkında
BC637_L34Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 kapsülünde sunulan bu transistör, 60V maksimum collector-emitter voltajında ve 1A maksimum collector akımında çalışma kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, maksimum 1W güç tüketim kapasitesiyle tasarlanmıştır. DC current gain (hFE) minimum 40 değerindedir. 500mV saturation voltajı ile düşük kayıplı anahtarlama özelliği gösterir. Düşük sinyalli anahtarlama, genel amaçlı amplifikasyon ve darbe uygulamalarında kullanılan uygun maliyetli bir seçenektir. Through-hole montaj tipiyle eski tasarımlar ve hobist elektronik projelerine uyumludur. Bileşen şu anda ürün yaşam döngüsünde sona ermiş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V