Görsel mevcut değil
BC637_J35Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637_J35Z Hakkında
BC637_J35Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 DIP paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum Vce dağılım gerilimi ve 1A maksimum kollektör akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frequency ile orta hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 1W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bileşen, DC akım kazancı (hFE) 40 (minimum @ 150mA Ic, 2V Vce) ile belirlenmiştir. Vce saturasyon gerilimi 500mV'dir. Through-hole montaj tipinde olan BC637_J35Z, klasik elektron projelerinde, ses frekansı amplifikatörlerinde ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde sıklıkla tercih edilmektedir. Not: Bu parça obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V