Görsel mevcut değil
BC637_D26Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A TO-92
BC637_D26Z Hakkında
BC637_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 40 değerinde (150mA, 2V koşullarında) belirtilmiştir. 500mV saturation voltajı ile güç tüketimi düşüktür. Maksimum 1W güç yayılabilir ve 150°C'ye kadar işletilir. Genel amaçlı anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve ses frekans uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V