Görsel mevcut değil
BC635,116
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 1A TO-92
BC635,116 Hakkında
BC635,116 NXP Semiconductors tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A kollektör akımı ve 45V breakdown voltajı ile çalışmaktadır. 180MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 830mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve RF uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 63 hFE (DC current gain) değeri ile güvenilir işletme sağlar. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V