Görsel mevcut değil
BC550B B1G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A
BC550B B1G Hakkında
BC550B, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 45V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilen bu bileşen, 500mW güç taşıma kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 2mA collector akımında ve 5V Vce'de minimum 200'dür.
TO-92 paketlemesinde sunulan BC550B, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük collector cutoff akımı (15nA) ile statik güç tüketimi minimal seviyede tutulur. Tüm elektronik uygulamalar, alarm devreleri, ses amplifikatörleri ve sayısal lojik arabirimleri gibi tasarımlarda kullanılabilir.
TO-92 paketlemesinde sunulan BC550B, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük collector cutoff akımı (15nA) ile statik güç tüketimi minimal seviyede tutulur. Tüm elektronik uygulamalar, alarm devreleri, ses amplifikatörleri ve sayısal lojik arabirimleri gibi tasarımlarda kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V