Görsel mevcut değil
BC550A B1G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A
BC550A B1G Hakkında
BC550A B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Through-hole montaj tipi TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector-emitter gerilimi 45V, maksimum collector akımı 100mA ve maksimum güç tüketimi 500mW'tır. DC current gain (hFE) 2mA ve 5V koşullarında minimum 110 değerine sahiptir. İşletim sıcaklık aralığı -65°C ile 150°C arasındadır. Collector cutoff akımı maksimum 15nA'dır. Düşük-orta güç uygulamalarında, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V