Görsel mevcut değil
BC549C B1G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A
BC549C B1G Hakkında
BC549C B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 30V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 420 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. TO-92 paketinde sunulan komponent, -65°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilmekte olup, 500mW maksimum güç harcaması ile düşük güçlü devre tasarımlarında tercih edilir. Sinyal amplifikasyon, akım kontrolü, anahtar uygulamaları ve gürültü figürü kritik olmayan RF devrelerine uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V