Görsel mevcut değil
BC338-25 A1G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A
BC338-25 A1G Hakkında
BC338-25 A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz transition frekansı, hızlı anahtarlama ve küçük sinyal işleme devrelerinde uygun performans sunar. TO-92 plastik paketlemesiyle hafif endüstriyel uygulamalar, ses amplifikatörleri, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında, 625mW maksimum güç tüketimiyle tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V