Görsel mevcut değil
BC307BZL1G
BC307BZL1G Hakkında
BC307BZL1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paket tipi ile uygulamalara entegre edilmek üzere tasarlanmıştır. Maksimum 45V Vce breakdown voltajı ve 100mA kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 280MHz transition frequency özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. 350mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değeri ile güvenilir amplifikasyon sağlar. Through-hole montaj tipine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
280MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
