Görsel mevcut değil
BC212B_D26Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.1A TO-92
BC212B_D26Z Hakkında
BC212B_D26Z, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 50V maksimum collector-emitter gerilim ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan transistör, 350mW güç disipasyonunu destekler. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 2mA collector akımında 5V Vce koşulunda çalışır. -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Küçük sinyalli amplifikasyon, dar akımlı anahtarlama devreleri ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir. Bileşen eski üretim olarak sınıflandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V