Görsel mevcut değil
BC182L_J35Z
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
BC182L_J35Z Hakkında
BC182L_J35Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 350mW güç kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. DC current gain (hFE) 120 minimum değer (2mA, 5V'de) ile belirlenmekte olup, entegre devreler, sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Ürün şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V