Görsel mevcut değil
AIKW50N65RF5XKSA1
AIKW50N65RF5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIKW50N65RF5XKSA1, 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80A collector akımı ve 150A pulse akımı ile çalışabilir. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında kullanılabilen transistör, 250W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 109nC gate charge ve 2.1V Vce(on) değerleri ile güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde, inverter devrelerinde ve kaynak makinalarında kullanılır. Düşük switching loss karakteristiği (on: 310µJ, off: 120µJ) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
109 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Switching Energy
310µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/156ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V