AIKW50N65DH5XKSA1

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IC DISCRETE 650V TO247-3

AIKW50N65DH5XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies AIKW50N65DH5XKSA1, 650V rated Trench IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 150A pulsed collector akımı ve 2.1V Vce(on) değerleri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 270W maksimum güç yeteneğine sahip olan cihaz, -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özellikleriyle (21ns turn-on, 156ns turn-off), modern güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel enerji uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1018nC gate charge değeri ile orta hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.

Ürün Özellikleri

15 özellik

Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A

Gate Charge 1018 nC

IGBT Type Trench

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Active

Power - Max 270 W

Supplier Device Package PG-TO247-3-41

Switching Energy 490µJ (on), 140µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 21ns/156ns

Test Condition 400V, 25A, 12Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V