Görsel mevcut değil
AIKW50N65DF5XKSA1
AIKW50N65DF5XKSA1 Hakkında
AIKW50N65DF5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V tekil IGBT transistörüdür. Trench teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, maksimum 150A pulse kollektör akımı ve 270W güç derecelendirmesine sahiptir. TO-247-3 paket formatında montaj için kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sunarak, güç elektronik uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Switching enerji değerleri (on: 490µJ, off: 140µJ) ve hızlı geçiş zamanları (Td on/off: 21ns/156ns) ile güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
1018 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
270 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Switching Energy
490µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/156ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V