Görsel mevcut değil
AIKB30N65DF5ATMA1
AIKB30N65DF5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIKB30N65DF5ATMA1, 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 55A maksimum collector akımı ve 90A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 188W maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmış olup, -40°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 30A akımda 2.1V olarak belirtilmiştir. 70nC gate charge ve 67ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılmaya uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
70 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
188 W
Reverse Recovery Time (trr)
67 ns
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
330µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/188ns
Test Condition
400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V