2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
AIHD15N60RFATMA1 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

AIHD15N60RFATMA1

Üretici
Infineon
Kılıf / Paket
TO-252-3
Açıklama
IC DISCRETE 600V TO252-3

AIHD15N60RFATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD15N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu diskret komponentin maksimum kollektör akımı 30A, darbe akımı ise 45A'dir. 15A/400V test koşullarında 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. Ön açılış süresi 13ns, arka kapanış süresi 160ns olan bu transistör, 270µJ açılış ve 250µJ kapanış anahtarlama enerjisine sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 240W güç dağıtabilir. DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel sürücü sistemlerinde kullanılır. Bileşen obsolete statüsündedir.

Ürün Özellikleri

16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45 A
Gate Charge 90 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 240 W
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Switching Energy 270µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 13ns/160ns
Test Condition 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V