Görsel mevcut değil
AIHD10N60RFATMA1
AIHD10N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD10N60RFATMA1, 600V sınıfı yüksek gerilim IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diskret bileşenidir. Trench Field Stop teknolojisiyle tasarlanan bu transistör, maksimum 20A sürekli kolektör akımı ve 30A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan komponent, 150W güç dağıtımı yapabilmektedir. -40°C ile +175°C arasında çalışmaya uygun olup, anahtarlama uygulamalarında düşük anahtarlama enerjisi (on: 190µJ, off: 160µJ) sağlar. 64nC gate charge ve 12ns/168ns turn-on/turn-off zamanları ile hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, inverter ve UPS sistemlerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Switching Energy
190µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/168ns
Test Condition
400V, 10A, 26Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V