Görsel mevcut değil
AIHD10N60RATMA1
AIHD10N60RATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD10N60RATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 20A sabit akım ve 30A darbe akımına sahip olan cihaz, 64nC kapı yükü ve 150W maksimum güç dağılımı karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 10A akımda 2.1V'dur. Anahtarlama enerjileri açma için 210µJ, kapama için 380µJ'dur. DC/DC dönüştürücüler, inverterler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
64 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Switching Energy
210µJ (on), 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/192ns
Test Condition
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V