Görsel mevcut değil
AIHD06N60RFATMA1
AIHD06N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD06N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 12A maksimum kolektör akımı ve 18A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 48nC gate charge ve 100W maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Vce(on) 15V gate geriliminde 2.5V olarak belirtilmiştir. On/off switching enerjisi sırasıyla 90µJ'dir. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Switching Energy
90µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
8ns/105ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V