Görsel mevcut değil
AIHD06N60RATMA1
AIHD06N60RATMA1 Hakkında
Infineon Technologies AIHD06N60RATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 12A sürekli kolektör akımı (Ic) ve 18A darbe akımı (Icm) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve çevirici topologylerinde kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 48nC ve switching energy değerleri (110µJ açılış, 220µJ kapanış) hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon garantiler. Maksimum 100W güç dissipasyonuyla kompakt tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
48 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Switching Energy
110µJ (on), 220µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/127ns
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V