Görsel mevcut değil
AIHD04N60RATMA1
AIHD04N60RATMA1 Hakkında
AIHD04N60RATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu bileşen, 8A sürekli ve 12A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan komponent, maksimum 75W güç disipasyonuna ve 27nC gate charge değerine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 4A akımda 2.1V'tur. -40°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Switching energy değerleri sırasıyla 90µJ (on) ve 150µJ (off) şeklindedir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürücüleri ve inverter devreleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
27 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Switching Energy
90µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/146ns
Test Condition
400V, 4A, 43Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V