Görsel mevcut değil
AIHD03N60RFATMA1
AIHD03N60RFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIHD03N60RFATMA1, 600V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5A kollektör akımı ve 7.5A darbe akımı kapasitesi ile çalışır. 53.6W maksimum güç derecelemesi ile anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. Gate yükü 17.1nC, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 10ns/128ns olup, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.5A akımda 2.5V'tur. Standard giriş tipi ve verimli enerji dönüştürme özellikleri ile düşük kayıplı tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
7.5 A
Gate Charge
17.1 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Market
Power - Max
53.6 W
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Switching Energy
50µJ (on), 40µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
10ns/128ns
Test Condition
400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V