Görsel mevcut değil
AIGW50N65H5XKSA1
AIGW50N65H5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIGW50N65H5XKSA1, 650V Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. 150A pulsa akım kapasitesi ve 270W maksimum güç yeteneği ile endüstriyel sürücü devrelerine, inverter tasarımlarına ve motor kontrol sistemlerine uygun bir çözüm sunar. -40°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında stabil çalışma özellikleri sayesinde geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir. 2.1V Vce(on) değeri ve optimize edilmiş switching energy karakteristikleri ile verimli enerji dönüşümü sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
1018 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
270 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Switching Energy
490µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/156ns
Test Condition
400V, 25A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V