Görsel mevcut değil
AIGW40N65F5XKSA1
AIGW40N65F5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen AIGW40N65F5XKSA1, 650V Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 74A DC ve 120A darbe kollektör akımı ile çalışabilir. 250W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olup, -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 95nC, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 19ns/165ns'dir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 40A akımda 2.1V olarak belirtilmiştir. Güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek voltaj ve akım gerektiren alanlarda kullanılan endüstriyel sınıf bir anahtarlama elemanıdır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
IGBT Type
Trench
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Switching Energy
350µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/165ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V