Görsel mevcut değil
AIGB30N65F5ATMA1
AIGB30N65F5ATMA1 Hakkında
AIGB30N65F5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ayrık IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) anahtarlamasıdır. NPT (Non-Punch-Through) teknolojisine dayalı bu bileşen, maksimum 30 A kollektör akımı ve 650 V kollektör-emitör kırılma gerilimi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, kaynak makinaları ve güç kaynakları gibi orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılır. Yüzey montaj teknolojisine uygun olup, standart giriş türü ile çalışır.
Ürün Özellikleri
8 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V