Görsel mevcut değil
AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD Hakkında
AFGY100T65SPD, onsemi tarafından üretilen 650V/100A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, elektrikli araçlar (EV) ve yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 660W maksimum güç kapasitesine sahip olan transistör, 2.05V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 109nC gate charge ve 36ns/78ns anahtarlama gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 105ns reverse recovery time ile ters kurtarma kaybı minimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işlem yapabilir. 300A darbe akımı kapasitesi geçici yük koşullarında esneklik sağlar. Güç çevirici, invertör, motor sürücüsü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
109 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
660 W
Reverse Recovery Time (trr)
105 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
36ns/78ns
Test Condition
400V, 100A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V