Görsel mevcut değil
AFGHL50T65SQD
AFGHL50T65SQD Hakkında
AFGHL50T65SQD, onsemi tarafından üretilen 650V, 50A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, AEC 101 sertifikasyonuna sahiptir. Maksimum kolektör akımı 80A, pulslu akımı ise 200A'ye ulaşmaktadır. 2.1V (15V, 50A) düşük doyum gerilimi ve 102nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Switching energy değerleri 950µJ (açılış) ve 460µJ (kapanış) olup, 20ns/81ns anahtarlama gecikmesi ile keskin geçişler gerçekleştirir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. 650V breakdown gerilimi ve 268W maksimum güç yeteneği ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, inverter devreleri ve AC/DC konvertörlerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
102 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
268 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
950µJ (on), 460µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/81ns
Test Condition
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V