Görsel mevcut değil
AFGB40T65SQDN
AFGB40T65SQDN Hakkında
AFGB40T65SQDN, onsemi tarafından üretilen 650V/40A FS4 IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum kolektör akımı 80A, darbe akımı 160A ve maksimum güç kapasitesi 238W'dur. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 40A'de 2.1V'dur. Ters iyileşme süresi 131ns, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 17.6ns/75.2ns'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükler gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
76 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
238 W
Reverse Recovery Time (trr)
131 ns
Supplier Device Package
D²PAK-3 (TO-263-3)
Switching Energy
858µJ (on), 229µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17.6ns/75.2ns
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V