Görsel mevcut değil
AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN Hakkında
AFGB30T65SQDN, onsemi tarafından üretilen 650V/30A Fast IGBT transistördür. TO-263-3 (D²PAK) paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60A maksimum kolektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerde, inverter, motor sürücü ve switched-mode power supply (SMPS) tasarımlarında tercih edilir. 650V diyot kapanış gerilimi, düşük gate charge (56 nC) ve hızlı anahtarlama süreleri (14.5ns/63.2ns) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 220W maksimum güç dağıtımına uygundur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
56 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
220 W
Reverse Recovery Time (trr)
245 ns
Supplier Device Package
D²PAK-3 (TO-263-3)
Td (on/off) @ 25°C
14.5ns/63.2ns
Test Condition
400V, 30A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V