Görsel mevcut değil
92-0235
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 430V 20A 125W TO220AB
92-0235 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen 92-0235, 430V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A maksimum collector akımı ve 125W maksimum güç dissipasyonu ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.75V Vce(on) ile düşük iletim kaybı sağlar. 27nC gate charge ve 900ns/6µs açılış/kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç elektronikleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda yer bulur. Bileşen üretimden kaldırılmış olup mevcut tasarımlarda daha yeni alternatifler önerilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C
900ns/6µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V