Görsel mevcut değil
2STR1160
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT-23
2STR1160 Hakkında
2STR1160, STMicroelectronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-236-3 (SOT-23-3) paket tipi ile sunulmaktadır. Maksimum 60V Vce breakdown voltajı ve 1A collector akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 500mW güç tüketim sınırlaması ile çalışmaktadır. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 430mV saturation voltajı ile, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. Surface mount tipinde tasarlanmış olması, kompakt elektronik devrelerde ve PCB'lerde entegrasyon için uygun hale getirmektedir. İçin ortam sıcaklığında işletim yapabilen bu transistör, eski ürün statüsüne rağmen referans tasarımlar ve miras sistemlerde yer almaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
430mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V