Görsel mevcut değil
2SD667-D-AP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR TO-92
2SD667-D-AP Hakkında
2SD667-D-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımına ve 900mW güç dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 150mA collector akımında ve 5V Vce'de çalışabilen bileşen, 140MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Maksimum 80V collector-emitter breakdown voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama spektrumunda yer alabilir. Through hole montajı ile eski tasarımlar ve prototipleme çalışmalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V