Görsel mevcut değil
2SD2701TL
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 2A TUMT3
2SD2701TL Hakkında
2SD2701TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TUMT3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 12V kolektör-emitter gerilimi ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA'de 270 minimum değere sahiptir. 300MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 800mW güç tüketimli tasarımı sayesinde, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devre uygulamaları ve düşük güçlü RF devrelerinde tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TUMT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V