Görsel mevcut değil
2SD2662T100
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
2SD2662T100 Hakkında
2SD2662T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyalden orta güç uygulamalarına kadar geniş bir kullanım alanına sahiptir. 30V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1.5A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, SOT-89 (TO-243AA) kompakt yüzey montajlı paketlemesi sayesinde sınırlı alan gereksinimleri olan uygulamalarda kullanışlıdır. 330MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 270 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 350mV satürasyon gerilimi ile entegre edici devreler, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
330MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V