Görsel mevcut değil
2SD2257(Q,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 3A 100V TO220-3
2SD2257(Q,M) Hakkında
2SD2257(Q,M), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç derecelendirmesi ile motor kontrolü, anahtar devreleri, amplifikasyon ve akım yönetimi uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 2A/2V koşullarında 2000 minimum değerdedir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Düşük ICBO (10µA) ve kontrollü doyum voltajı (1.5V @ 1.5A) karakteristikleriyle verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220NIS
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V