Görsel mevcut değil
2SD2206(TE6,F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 2A 100V TO226-3
2SD2206(TE6,F,M) Hakkında
2SD2206, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 long body paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 100V kolektör-emitter voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 900mW güç derecelendirmesi ve 100MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu gerektiren devrelerde yer alabilir. DC akım kazancı (hFE) 1A, 2V koşullarında 2000'dir. Düşük 1.5V doyma voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. Ev aletleri, ses amplifikatörleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Parça üretime alınmamış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V