Görsel mevcut değil
2SD2206(T6CNO,A,F)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 2A 100V TO226-3
2SD2206(T6CNO,A,F) Hakkında
2SD2206, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 2A maksimum collector akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 900mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Yüksek DC current gain (hFE min: 2000 @ 1A, 2V) nedeniyle düşük base akımı ile kontrol edilebilir. Ses amplifikasyonu, güç amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 1.5V maksimum saturation voltajı ile verimli anahtarlama sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Obsolete
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92MOD
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V