Görsel mevcut değil
2SD2096T114E
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP
2SD2096T114E Hakkında
2SD2096T114E, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 60V kollektör-emitter gerilimi ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. HRT paket içerisinde sunulan bu transistör, through-hole montaj yöntemi ile PCB'lere entegre edilir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE), 8MHz geçiş frekansı ve 1.8W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kontrol, anahtarlama ve sinyal işleme görevlerinde yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı, sıcak ortam uygulamalarında dayanıklılık sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
8MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
HRT
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.8 W
Supplier Device Package
HRT
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V