Görsel mevcut değil
2SD1992A0A
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.5A MT-1
2SD1992A0A Hakkında
2SD1992A0A, Panasonic tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, MT-1 pakette sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 500mA collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 600mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreler ve genel amaçlı elektronik tasarımlarında tercih edilen bir komponenttir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler. Düşük 85 (minimum) hFE değeri ile kontrollü kazanç karakteristiği sunar. Ancak bu komponent artık üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SIP
Part Status
Obsolete
Power - Max
600 mW
Supplier Device Package
MT-1-A1
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V