Görsel mevcut değil
2SD1963T100R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 3A SOT-89
2SD1963T100R Hakkında
2SD1963T100R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-89 (TO-243AA) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 20V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ve 2W maksimum güç yeteneği sayesinde orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 500mA/2V koşullarında minimum 180 seviyesindedir. 450mV saturation gerilimi ve 500nA collector cutoff akımı ile düşük güç tüketimli devre tasarımlarında tercih edilir. Genel amaçlı anahtarlama, driver devreleri ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
MPT3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V