Görsel mevcut değil
2SD1857TV2R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 120V 2A ATV
2SD1857TV2R Hakkında
2SD1857TV2R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 120V collector-emitter gerilimi, 2A collector akımı ve 180 minimum akım kazancı (hFE) ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. 80MHz geçiş frekansı ile RF ve hızlı anahtarlama devreleri için uygun parametrelere sahiptir. Through-hole 3-SIP paket ile geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-SIP
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
ATV
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V