Görsel mevcut değil
2SD1816T-H
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 4A TP
2SD1816T-H Hakkında
2SD1816T-H, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, 100V kolektör-emiter gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 180MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrol, motor sürme, güç yönetimi ve ses amplifikasyonu gibi uygulamalarda yer alabilir. 150°C çalışma sıcaklığı, geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Şu anda piyasada bulunmayan (obsolete) bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V