Görsel mevcut değil
2SD1816T-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 4A TP
2SD1816T-E Hakkında
2SD1816T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 180MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel kontrolü, motor sürücüleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 400mV SAT voltajı ile verimli çalışma sağlar. 150°C işletme sıcaklığına dayanıklı tasarımı, çeşitli ortam koşullarında güvenilir performans sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V