Görsel mevcut değil
2SD1815T-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 3A TP
2SD1815T-E Hakkında
2SD1815T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 100V kolektör-emitter gerilimi ve 3A maksimum kolektör akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) kasa türü ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 1W maksimum güç dağılımı ve 180MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ile dirençli yükler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında stabil performans sunar. 400mV saturasyon gerilimi ile düşük kayıp anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V