Görsel mevcut değil
2SD1805F-E
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 5A TP
2SD1805F-E Hakkında
2SD1805F-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 20V kolektör-emitör gerilimi ve 5A maksimum kolektör akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paket türünde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan komponent, 120MHz transition frequency ile orta hızlı sinyalleri işleyebilir. 160 minimum DC akım kazancı (hFE), 500mV doyma gerilimi ve 100nA maksimum kapatılma akımı özellikleri taşır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar güvenilir performans sunar. Düşük sinyal seviyesi anahtarlama, güç amplifikasyonu ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Şu an üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V