2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
2SD1683T Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

2SD1683T

Kılıf / Paket
Açıklama
POWER BIPOLAR TRANSISTOR

2SD1683T Hakkında

2SD1683T, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde power bipolar junction transistor (BJT) bileşenidir. TO-225AA ve TO-126-3 paketlerde sunulan bu transistör, 4A maksimum collector akımı ve 1.5W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 150MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle, güç amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. İlk kullanım alanları arasında audio amplifikasyon, motor kontrolü ve güç yönetimi devreleri yer almaktadır. Bileşen eski üretim (Obsolete) statüsündedir.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Obsolete
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package TO-225-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V