Görsel mevcut değil
2SD12950RL
2SD12950RL Hakkında
2SD12950RL, Panasonic tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 150MHz geçiş frekansı ile anahtarlama ve güçlendirme devrelerine uygundur. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile driver ve sinyal işleme uygulamalarında güvenilir performans sağlar. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketi ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir. İtme-çek (push-pull) çıkış devreleri, darbe genişliği modülasyon (PWM) kontrol devreleri ve düşük-orta güç anahtarlama uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı endüstriyel ortamlar için uygun kılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
U-G2
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V