Görsel mevcut değil
2SD12670P
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 4A TO-220F
2SD12670P Hakkında
2SD12670P, Panasonic tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ile kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sinyal amplifikasyonunda tercih edilir. 20MHz transition frequency ile audio ve düşük frekanslı RF uygulamalarına uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilme özelliği ile endüstriyel uygulamalarda ve güç kontrol sistemlerinde yer alır. Doğrusal ve açık-kapalı (saturation) modlarında kullanılabilen bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları ve darbe modülasyonlu devreler gibi uygulamalara elverişlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
20MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220F-A1
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V