Görsel mevcut değil
2SD12660P
- Üretici
- Panasonic
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A TO-220F
2SD12660P Hakkında
2SD12660P, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 Full Pack koruma ile sunulan bu transistör, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 30MHz transition frekansı ile düşük frekans sinyal işleme uygulamalarında çalışabilir. DC current gain (hFE) değeri 1A, 4V koşullarında minimum 120'dir. Vce saturation gerilimi 1.2V (375mA base akımı, 3A collector akımı durumunda) olup, anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Bileşen obsolete statüsünde olup, yeni tasarımlarda veri tabanından alternatif seçimi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220F-A1
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V